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Toshiba
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TK65E10N1,S1X 圖片
  • 制造廠商:東芝半導體
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:TO-220
  • 技術參數:MOSFET N CH 100V 148A TO220
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TK65E10N1,S1X 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:TK65E10N1,S1X
  • 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:MOSFET N CH 100V 148A TO220
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:U-MOSVIII-H
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):100V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):148A(Ta)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):4.8 毫歐 @ 32.5A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):81nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):5400pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):192W(Tc)
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 器件封裝:TO-220
  • TK65E10N1,S1X優勢代理貨源,國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。
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