產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：東芝半導(dǎo)體
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：TO-220
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N CH 120V 60A TO-220
- 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品，東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)平臺(tái)
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TK32E12N1,S1X 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：TK32E12N1,S1X
- 制造商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N CH 120V 60A TO-220
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：U-MOSVIII-H
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類(lèi)型：N 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：120V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：60A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：13.8 毫歐 @ 16A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 500μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：34nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：2000pF @ 60V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：98W（Tc）
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：通孔
- 器件封裝：TO-220
- TK32E12N1,S1X優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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