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Toshiba
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TK100L60W,VQ 圖片
  • 制造廠商：東芝半導體
  • 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：TO-3P（L）
  • 技術參數：MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
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TK100L60W,VQ 技術參數詳情：
  • 制造商產品型號：TK100L60W,VQ
  • 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產品系列：DTMOSIV
  • 零件狀態：有源
  • FET類型：N 通道
  • 技術：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：600V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id)：100A（Ta）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：18 毫歐 @ 50A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 5mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：360nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：15000pF @ 30V
  • FET功能：超級結
  • 功率耗散（最大值）：797W（Tc）
  • 工作溫度：150°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 器件封裝：TO-3P（L）
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