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- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：FET - 單，TO-220-3
- 技術參數：MOSFET P-CH 100V 9A TO220SIS-3
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TJ9A10M3,S4Q(M 技術參數詳情：
- 東芝半導體公司完整型號: TJ9A10M3,S4Q(M
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 功能總體簡述: MOSFET P-CH 100V 9A TO220SIS-3
- 系列: -
- FET 類型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能: 標準
- 漏源極電壓（Vdss）: 100V
- 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）: 9A（Ta）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 170 毫歐 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 47nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 2900pF @ 10V
- 功率 - 最大值: 19W
- 安裝類型: 通孔
- 封裝/外殼: TO-220-3 整包
- 供應商器件封裝: TO-220SIS
- TJ9A10M3,S4Q(M優勢代理貨源，國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。
