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Toshiba
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TC58BYG0S3HBAI6 圖片
  • 制造廠商:東芝半導體
  • 類別封裝:存儲器,67-VFBGA
  • 技術參數:EEPROM SLC 1GB NAND 24NM 67VFBGA
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TC58BYG0S3HBAI6 技術參數詳情:
  • 東芝半導體公司完整型號: TC58BYG0S3HBAI6
  • 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
  • 功能總體簡述: EEPROM SLC 1GB NAND 24NM 67VFBGA
  • 系列: Benand
  • 格式 - 存儲器: EEPROMs - 串行
  • 存儲器類型: EEPROM - NAND
  • 存儲容量: 1G(128M x 8)
  • 速度: 25ns
  • 接口: 并聯
  • 電壓 - 電源: 1.7 V ~ 1.95 V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼: 67-VFBGA
  • 供應商器件封裝: 67-VFBGA(6.5x8)
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