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- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：場效應管陣列，6-μDFN
- 技術參數：MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
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SSM6N55NU,LF(T 技術參數詳情：
- 東芝半導體公司完整型號：SSM6N55NU,LF(T
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
- 系列：-
- FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：4A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：46 毫歐 @ 4A， 10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2.5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：280pF @ 15V
- 功率 - 最大值：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-WDFN 裸露焊盤
- 供應商器件封裝：6-μDFN（2x2）
- SSM6N55NU,LF(T優勢代理貨源，國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。
