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- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：ES6
- 技術參數：MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
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SSM6K217FE,LF 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：SSM6K217FE,LF
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：U-MOSVII-H
- 零件狀態：有源
- FET類型：N 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：40V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：1.8A（Ta）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，8V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：195 毫歐 @ 1A，8V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：1.1nC @ 4.2V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：130pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：ES6
- SSM6K217FE,LF優勢代理貨源，國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。
