產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：6-UDFN（2x2）
- 技術參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
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SSM6G18NU,LF 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SSM6G18NU,LF
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：P 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：2A（Ta）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：112 毫歐 @ 1A，4.5V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：4.6nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：270pF @ 10V
- FET功能：肖特基二極管（隔離式）
- 功率耗散（最大值）：1W（Ta）
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：6-UDFN（2x2）
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