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- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：VESM
- 技術參數：MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
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SSM3J66MFV,L3F 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：SSM3J66MFV,L3F
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：U-MOSVI
- 零件狀態：有源
- FET類型：P 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：800mA（Ta）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.2V，4.5V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：390毫歐 @ 800mA，4.5V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：1.6nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：+6V，-8V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：100pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：150mW（Ta）
- 工作溫度：150°C
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：VESM
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