產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置，封裝：SOT-563，SOT-666
- 技術(shù)參數(shù)：PNP + NPN BRT, Q1BSR=2.2K?, Q1BE
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RN49A1FE(TE85L,F) 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：RN49A1FE(TE85L,F)
- 制造商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：PNP + NPN BRT, Q1BSR=2.2K?, Q1BE
- 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置
- 零件狀態(tài)：有源
- 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙）
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
- 電阻器-基極(R1)：5.6A（Ta），11.7A（Tc）
- 電阻器-發(fā)射極(R2)：47 千歐
- 不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V
- 不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA
- 電流-集電極截止（最大值）：500nA
- 頻率-躍遷：200MHz，250MHz
- 功率-最大值：100mW
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：SOT-563，SOT-666
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