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Toshiba
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RN47A3JE(TE85L,F) 圖片
  • 制造廠商:東芝半導體
  • 類別封裝:陣列﹐預偏壓式晶體管,ESV
  • 技術參數:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ESV
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RN47A3JE(TE85L,F) 技術參數詳情:
  • 東芝半導體公司完整型號:RN47A3JE(TE85L,F)
  • 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ESV
  • 系列:-
  • 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
  • 電阻器 - 基底 (R1) (Ω):10k
  • 電阻器 - 發射極基底 (R2) (Ω):10k
  • 不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值):50 @ 10mA,5V
  • 不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值(最大值):300mV @ 250μA,5mA
  • 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 頻率 - 躍遷:250MHz
  • 功率 - 最大值:100mW
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:SOT-553
  • 供應商器件封裝:ESV
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