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- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻，封裝：3-SMD，扁平引線
- 技術參數：RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
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MT3S111TU,LF 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：MT3S111TU,LF
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
- 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 零件狀態：有源
- 晶體管類型：NPN
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：6V
- 頻率-躍遷：10GHz
- 噪聲系數（dB，不同f時的典型值）：0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
- 增益：12.5dB
- 功率-最大值：800mW
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：200 @ 30mA，5V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：3-SMD，扁平引線
- MT3S111TU,LF優勢代理貨源，國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。
