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Toshiba
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MT3S111P(TE12L,F) 圖片
  • 制造廠商:東芝半導體
  • 類別封裝:晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻,封裝:TO-243AA
  • 技術參數:RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
  • 豐富的東芝半導體公司產品,東芝半導體芯片采購平臺
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MT3S111P(TE12L,F) 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:MT3S111P(TE12L,F)
  • 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
  • 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
  • 零件狀態:有源
  • 晶體管類型:NPN
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):6V
  • 頻率-躍遷:8GHz
  • 噪聲系數(dB,不同f時的典型值):1.25dB @ 1GHz
  • 增益:10.5dB
  • 功率-最大值:1W
  • 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):200 @ 30mA,5V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-243AA
  • MT3S111P(TE12L,F)優勢代理貨源,國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。
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