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- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列，封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 技術參數：NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
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HN1C03FU-B,LF 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：HN1C03FU-B,LF
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
- 系列：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列
- 零件狀態：有源
- 晶體管類型：2 NPN（雙）
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：300mA
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：20V
- 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：100mV @ 3mA，30A
- 電流-集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：350 @ 4mA，2V
- 功率-最大值：200mW
- 頻率-躍遷：30MHz
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- HN1C03FU-B,LF優勢代理貨源，國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。
