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- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3PL
- 技術參數：IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
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GT60N321(Q) 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：GT60N321(Q)
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列：-
- 零件狀態：停產
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1000V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：60A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：120A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，60A
- 功率-最大值：170W
- 開關能量：-
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：-
- 25°C時Td（開/關）值：330ns/700ns
- 測試條件：-
- 反向恢復時間(trr)：2.5μs
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-3PL
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