產品參考圖片
- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 技術參數：IGBT 600V 10A 60W TO220SM
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GT10J312(Q) 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：GT10J312(Q)
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：IGBT 600V 10A 60W TO220SM
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列：-
- 零件狀態：停產
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：10A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：20A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，10A
- 功率-最大值：60W
- 開關能量：-
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：-
- 25°C時Td（開/關）值：400ns/400ns
- 測試條件：300V，10A，100 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：200ns
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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