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Toshiba
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2SK3767(Q,M) 圖片
  • 制造廠商:東芝半導體
  • 類別封裝:單端場效應管,TO-220SIS
  • 技術參數:MOSFET N-CH 600V 2A TO-220SIS
  • 豐富的東芝半導體公司產品,東芝半導體芯片采購平臺
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2SK3767(Q,M) 技術參數詳情:
  • 東芝半導體公司完整型號:2SK3767(Q,M)
  • 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO-220SIS
  • 系列:-
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):600V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):2A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):4.5 歐姆 @ 1A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):9nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):320pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:25W
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝/外殼:TO-220-3 整包
  • 供應商器件封裝:TO-220SIS
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