產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，TO-220SM
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 4A TO220SM
- 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品，東芝半導(dǎo)體芯片采購平臺
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2SK1930(TE24L,Q) 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 東芝半導(dǎo)體公司完整型號：2SK1930(TE24L,Q)
- 制造商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 1000V 4A TO220SM
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：4A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.8 歐姆 @ 2A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：60nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：700pF @ 25V
- 功率 - 最大值：100W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-220SM
- 2SK1930(TE24L,Q)優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的東芝半導(dǎo)體芯片采購服務(wù)平臺。
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