產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：TI
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：22-PowerTFDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 60V 22-VSON-CLIP
- 豐富的TI公司產(chǎn)品，TI芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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CSD88599Q5DCT 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：CSD88599Q5DCT
- 制造商：TI公司（德州儀器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET 2N-CH 60V 22-VSON-CLIP
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：NexFET?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 個(gè) N 通道（半橋）
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：60V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：-
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：2.1 毫歐 @ 30A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：27nC @ 4.5V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：4840pF @ 30V
- 功率-最大值：12W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：22-PowerTFDFN
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