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TI
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CSD86330Q3D 圖片
  • 制造廠商:TI
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-PowerLDFN
  • 技術參數:MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
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CSD86330Q3D 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:CSD86330Q3D
  • 制造商:TI公司(德州儀器,Texas Instruments)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:NexFET?
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:2 個 N 通道(半橋)
  • FET功能:邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss):25V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):20A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):9.6 毫歐 @ 14A,8V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):6.2nC @ 4.5V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):920pF @ 12.5V
  • 功率-最大值:6W
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-PowerLDFN
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