產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：TI
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerVDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
- 豐富的TI公司產(chǎn)品，TI芯片采購平臺
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CSD85312Q3E 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：CSD85312Q3E
- 制造商：TI公司（德州儀器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：NexFET?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N 溝道（雙）共源
- FET功能：邏輯電平柵極，5V 驅(qū)動
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：39A
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：12.4 毫歐 @ 10A，8V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：15.2nC @ 4.5V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2390pF @ 10V
- 功率-最大值：2.5W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerVDFN
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