產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：TI
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：6-DSBGA（1x1.5）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
- 豐富的TI公司產(chǎn)品，TI芯片采購平臺
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CSD25211W1015 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：CSD25211W1015
- 制造商：TI公司（德州儀器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：NexFET?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：P 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：3.2A（Ta）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：33 毫歐 @ 1.5A，4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：4.1nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：-6V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：570pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：1W（Ta）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：6-DSBGA（1x1.5）
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