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TI
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CSD19538Q2 圖片
  • 制造廠商:TI
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:6-WSON(2x2)
  • 技術參數(shù):MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON
  • 豐富的TI公司產品,TI芯片采購平臺
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CSD19538Q2 技術參數(shù)詳情:
  • 制造商產品型號:CSD19538Q2
  • 制造商:TI公司(德州儀器,Texas Instruments)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:NexFET?
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):100V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):14.4A(Ta)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):59 毫歐 @ 5A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):5.6nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):454pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),20.2W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:6-WSON(2x2)
  • CSD19538Q2優(yōu)勢代理貨源,國內領先的TI芯片采購服務平臺。
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