
- 制造廠商:Sanken
- 類別封裝:單端場效應(yīng)管,8-DFN
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN
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GKI06109 技術(shù)參數(shù)詳情:
- Sanken公司完整型號:GKI06109
- 制造廠家名稱:Sanken
- 描述:MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN
- 系列:-
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅(qū)動
- 漏源極電壓 (Vdss):60V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):9A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):8.9 毫歐 @ 23.6A, 10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 650?A
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):38.6nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2520pF @ 25V
- 功率 - 最大值:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6)
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