產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：三星半導(dǎo)體
- 類別封裝：模塊，8GB
- 技術(shù)參數(shù)：SAMSUNG DRAM NAND
- 豐富的三星半導(dǎo)體公司產(chǎn)品，三星半導(dǎo)體芯片采購平臺
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M474A1G43DB0-CPB 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 三星模塊型號：M474A1G43DB0-CPB
- 制造商：三星半導(dǎo)體（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能類別：模塊
- DDR：四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
- DIMM 類型：ECC SODIMM
- 容量：8GB
- 內(nèi)存區(qū)塊組織：2R x 8
- 速率：2133 Mbps
- 工作電壓：1.2 V
- 組件成分：(512M x 8) x 18
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