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- 制造廠商：三星半導體
- 類別封裝：模塊，256GB
- 技術參數(shù)：SAMSUNG DRAM NAND
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M386ABG40M50-CYF 技術參數(shù)詳情：
- 三星模塊型號：M386ABG40M50-CYF
- 制造商：三星半導體（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能類別：模塊
- DDR：四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
- DIMM 類型：LRDIMM
- 容量：256GB
- 內存區(qū)塊組織：8R x 4
- 速率：2933 Mbps
- 工作電壓：1.2 V
- 組件成分：(4H 3DS 16G x 4) x 36
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