
- 制造廠商:三星半導(dǎo)體
- 類別封裝:多制層封裝芯片,221FBGA
- 技術(shù)參數(shù):SAMSUNG DRAM NAND
- 豐富的三星半導(dǎo)體公司產(chǎn)品,三星半導(dǎo)體芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價格

KMRX1000BM-B614 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 三星芯片型號:KMRX1000BM-B614
- 制造商:三星半導(dǎo)體(SAMSUNG Semiconductor)
- 功能類別:多制層封裝芯片
- eStorage 密度:32 GB
- eStorage 版本:嵌入式多媒體卡 5.1
- DRAM 密度:24 Gb
- DRAM 類型:三代低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
- 封裝:221FBGA
- 速率:1866 Mbps
- 產(chǎn)品狀態(tài):批量生產(chǎn)
- KMRX1000BM-B614優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的三星半導(dǎo)體芯片采購服務(wù)平臺。

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