- 制造廠商：三星半導體
- 類別封裝：多制層封裝芯片，221FBGA
- 技術參數：SAMSUNG DRAM NAND
- 豐富的三星半導體公司產品，三星半導體芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
KMFN60012M-B214 技術參數詳情：
- 三星芯片型號：KMFN60012M-B214
- 制造商：三星半導體（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能類別：多制層封裝芯片
- eStorage 密度：8 GB
- eStorage 版本：嵌入式多媒體卡 5.1
- DRAM 密度：8 Gb
- DRAM 類型：三代低功耗雙倍數據率同步動態隨機存儲器
- 封裝：221FBGA
- 速率：1866 Mbps
- 產品狀態：批量生產
- KMFN60012M-B214優勢代理貨源，國內領先的三星半導體芯片采購服務平臺。
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