- 制造廠商：三星半導體
- 類別封裝：多制層封裝芯片，254FBGA
- 技術參數：SAMSUNG DRAM NAND
- 豐富的三星半導體公司產品，三星半導體芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
KM3V6001CM-B705 技術參數詳情：
- 三星芯片型號：KM3V6001CM-B705
- 制造商：三星半導體（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能類別：多制層封裝芯片
- eStorage 密度：128 GB
- eStorage 版本：嵌入式多媒體卡 5.1
- DRAM 密度：48Gb
- DRAM 類型：四代超低功耗雙倍數據率同步動態隨機存儲器
- 封裝：254FBGA
- 速率：3733 Mbps
- 產品狀態：批量生產
- KM3V6001CM-B705優勢代理貨源，國內領先的三星半導體芯片采購服務平臺。
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