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產品參考圖片
K6T1008V2E-GB70
制造廠商:
三星半導體
類別封裝:
SRAM存儲器IC,出廠封裝
技術參數(shù):
0
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點擊下圖下載技術文檔
K6T1008V2E-GB70 技術參數(shù)詳情:
三星半導體完整型號:K6T1008V2E-GB70
存儲器結構:1M×8
速度:70ns
電源電壓:3.3V
包裝:SOP
環(huán)保標準:
K6T1008V2E-GB70
優(yōu)勢代理貨源,國內領先的三星半導體芯片采購服務平臺。
K4E640812D-TL60
SPHWHAHDNG27YZT3J8
SI-B8U061280WW
K4E171612C-JI50
CL32C223JBHNNNE
SI-B8U52256CUS
K4F164011D-BC60
K9G4G08U0M-PCB0
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K4H560438J-LCB3
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