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K6R4016V1D-TC10000
制造廠商:
三星半導體
類別封裝:
SRAM存儲器IC,出廠封裝
技術參數:
0
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點擊下圖下載技術文檔
K6R4016V1D-TC10000 技術參數詳情:
三星半導體完整型號:K6R4016V1D-TC10000
存儲器結構:40M×16
速度:10
電源電壓:3.3V
包裝:TSOP
環(huán)保標準:
K6R4016V1D-TC10000
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