產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：三星半導體
- 類別封裝：雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器，60FBGA
- 技術(shù)參數(shù)：SAMSUNG DRAM NAND
- 豐富的三星半導體公司產(chǎn)品，三星半導體芯片采購平臺
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K4T1G083QJ-BI 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 三星芯片型號：K4T1G083QJ-BI
- 制造商：三星半導體（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能類別：雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
- 容量：1Gb
- 架構(gòu)：128M x 8
- 速率：1066 Mbps
- 工作電壓：1.8 V
- 工作溫度：-40 ~ 95 °C
- 封裝：60FBGA
- 產(chǎn)品狀態(tài)：批量生產(chǎn)
- K4T1G083QJ-BI優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的三星半導體芯片采購服務平臺。
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