產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：三星半導(dǎo)體
- 類別封裝：低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，200FBGA
- 技術(shù)參數(shù)：SAMSUNG DRAM NAND
- 豐富的三星半導(dǎo)體公司產(chǎn)品，三星半導(dǎo)體芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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K4FBE3D4HM-MGCJ 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 三星芯片型號(hào)：K4FBE3D4HM-MGCJ
- 制造商：三星半導(dǎo)體（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能類別：低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
- 容量：32Gb
- 架構(gòu)：x32
- 速率：3733 Mbps
- 工作電壓：1.8 / 1.1 / 1.1 V
- 工作溫度：-25 ~ 85 °C
- 封裝：200FBGA
- 產(chǎn)品狀態(tài)：批量生產(chǎn)
- K4FBE3D4HM-MGCJ優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的三星半導(dǎo)體芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Samsung代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)