- 制造廠商：三星半導體
- 類別封裝：低功耗雙倍數據率同步動態隨機存儲器，200FBGA
- 技術參數：SAMSUNG DRAM NAND
- 豐富的三星半導體公司產品，三星半導體芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
K4F8E3S4HB-MHCJ 技術參數詳情：
- 三星芯片型號：K4F8E3S4HB-MHCJ
- 制造商：三星半導體（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能類別：低功耗雙倍數據率同步動態隨機存儲器
- 容量：8Gb
- 架構：x32
- 速率：3733 Mbps
- 工作電壓：1.8 / 1.1 / 1.1 V
- 工作溫度：-40 ~ 105 °C
- 封裝：200FBGA
- 產品狀態：批量生產
- K4F8E3S4HB-MHCJ優勢代理貨源，國內領先的三星半導體芯片采購服務平臺。
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