產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：三星半導(dǎo)體
- 類別封裝：雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，78FBGA
- 技術(shù)參數(shù)：SAMSUNG DRAM NAND
- 豐富的三星半導(dǎo)體公司產(chǎn)品，三星半導(dǎo)體芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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K4B1G0846I-BYNB 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 三星芯片型號(hào)：K4B1G0846I-BYNB
- 制造商：三星半導(dǎo)體（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能類別：雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
- 容量：1Gb
- 架構(gòu)：128M x 8
- 速率：2133 Mbps
- 工作電壓：1.35 V
- 工作溫度：0 ~ 85 °C
- 封裝：78FBGA
- 產(chǎn)品狀態(tài)：批量生產(chǎn)
- K4B1G0846I-BYNB優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的三星半導(dǎo)體芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Samsung代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)