- 制造廠商:三星半導體
- 類別封裝:低功耗雙倍數據率同步動態隨機存儲器,366FBGA
- 技術參數:SAMSUNG DRAM NAND
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K3RG8G80MM-MGCJ 技術參數詳情:
- 三星芯片型號:K3RG8G80MM-MGCJ
- 制造商:三星半導體(SAMSUNG Semiconductor)
- 功能類別:低功耗雙倍數據率同步動態隨機存儲器
- 容量:64Gb
- 架構:x64
- 速率:3733 Mbps
- 工作電壓:1.8 / 1.1 / 1.1 V
- 工作溫度:-25 ~ 85 °C
- 封裝:366FBGA
- 產品狀態:批量生產
- K3RG8G80MM-MGCJ優勢代理貨源,國內領先的三星半導體芯片采購服務平臺。
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