產品參考圖片
- 制造廠商：三星半導體
- 類別封裝：低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器，366FBGA
- 技術參數(shù)：SAMSUNG DRAM NAND
- 豐富的三星半導體公司產品，三星半導體芯片采購平臺
- 提供當日發(fā)貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
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K3RG2G20BM-MGCJ 技術參數(shù)詳情：
- 三星芯片型號：K3RG2G20BM-MGCJ
- 制造商：三星半導體（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能類別：低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
- 容量：32Gb
- 架構：x64
- 速率：3733 Mbps
- 工作電壓：1.8 / 1.1 / 1.1 V
- 工作溫度：-25 ~ 85 °C
- 封裝：366FBGA
- 產品狀態(tài)：批量生產
- K3RG2G20BM-MGCJ優(yōu)勢代理貨源，國內領先的三星半導體芯片采購服務平臺。
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