產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：三星半導(dǎo)體
- 類別封裝：固定電感器，封裝：1008（2520 公制）
- 技術(shù)參數(shù)：FIXED IND 3.3UH 1.8A 112 MOHM
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CIGW252010GL3R3MNE 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：CIGW252010GL3R3MNE
- 制造商：三星半導(dǎo)體（SAMSUNG Semiconductor）
- 描述：FIXED IND 3.3UH 1.8A 112 MOHM
- 產(chǎn)品系列：固定電感器
- 包裝：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
- 系列：CIGW
- 零件狀態(tài)：有源
- 類型：繞線
- 材料-磁芯：金屬合成物
- 電感：3.3μH
- 容差：±20%
- 額定電流（安培）：1.8A
- 電流-飽和（Isat）：2.1A
- 屏蔽：無屏蔽
- DC電阻(DCR)：112 毫歐最大
- 不同頻率時(shí)Q值：-
- 頻率-自諧振：-
- 等級：-
- 工作溫度：-40°C ~ 125°C
- 電感頻率-測試：1MHz
- 特性：-
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：1008（2520 公制）
- 供應(yīng)商器件封裝：1008（2520 公制）
- 大小/尺寸：0.098 長 x 0.079 寬（2.50mm x 2.00mm）
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