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芯片采購(gòu),IC采購(gòu),芯片采購(gòu)平臺(tái)
ST
熱門產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
STP11NM65N 圖片
  • 制造廠商:ST(意法半導(dǎo)體)
  • 類別封裝:單端場(chǎng)效應(yīng)管,TO-220
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
  • 豐富的ST公司產(chǎn)品,ST芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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確保正品,國(guó)內(nèi)現(xiàn)貨,合理價(jià)格
STP11NM65N 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào):STP11NM65N
  • 制造商:ST意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
  • 系列:MDmesh II
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss):650V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):11A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):455 毫歐 @ 5.5A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):29nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):800pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:110W
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝/外殼:TO-220-3
  • 供應(yīng)商器件封裝:TO-220
  • STP11NM65N優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ST芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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