產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT
- 豐富的ST公司產(chǎn)品，ST芯片采購平臺(tái)
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STGWA8M120DF3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：STGWA8M120DF3
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：M
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：16A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：32A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，8A
- 功率-最大值：167W
- 開關(guān)能量：390μJ（開），370μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：32nC
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：20ns/126ns
- 測試條件：600V，8A，33 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：103ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
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