產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
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STGWA20H65DFB2 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：STGWA20H65DFB2
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：HB2
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：40A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：60A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，20A
- 功率-最大值：147W
- 開關(guān)能量：265μJ（開），214μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：56nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：16ns/78.8ns
- 測試條件：400V，20A，10 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時間(trr)：215ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
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