產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
- 豐富的ST公司產(chǎn)品，ST芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
STGWA20H65DFB2 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：STGWA20H65DFB2
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：HB2
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場(chǎng)截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：40A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：60A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，20A
- 功率-最大值：147W
- 開關(guān)能量：265μJ（開），214μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：56nC
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：16ns/78.8ns
- 測(cè)試條件：400V，20A，10 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：215ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
- STGWA20H65DFB2優(yōu)勢(shì)代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的ST芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)ST代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺(tái)