產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 650V 120A 420W TO247
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STGW60H65DRF 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：STGW60H65DRF
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 650V 120A 420W TO247
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：120A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：240A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，60A
- 功率-最大值：420W
- 開關(guān)能量：940μJ（開），1.06mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：217nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：85ns/178ns
- 測試條件：400V，60A，10 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時間(trr)：19ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
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