產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類別封裝：單路IGBT，TO-220
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 650V 60A 260W TO-220AB
- 豐富的ST公司產(chǎn)品，ST芯片采購平臺
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STGP30H65F 技術(shù)參數(shù)詳情：
- ST意法半導(dǎo)體公司完整型號：STGP30H65F
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 650V 60A 260W TO-220AB
- 系列：-
- IGBT 類型：溝道和場截止
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：120A
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.4V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值：260W
- Switching Energy：350μJ （開）， 400μJ （關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- Gate Charge：105nC
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：50ns/160ns
- Test Condition：400V, 30A, 10 歐姆, 15V
- 反向恢復(fù)時間 (trr)：-
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 安裝類型：通孔
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-220
- STGP30H65F優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的ST芯片采購服務(wù)平臺。
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