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- 制造廠商:ST(意法半導體)
- 類別封裝:單路IGBT,TO-220
- 技術參數:IGBT 650V 60A 260W TO-220AB
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STGP30H65F 技術參數詳情:
- ST意法半導體公司完整型號:STGP30H65F
- 制造商:ST意法半導體(STMicroelectronics)
- 描述:IGBT 650V 60A 260W TO-220AB
- 系列:-
- IGBT 類型:溝道和場截止
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60A
- Current - Collector Pulsed (Icm):120A
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.4V @ 15V,30A
- 功率 - 最大值:260W
- Switching Energy:350μJ (開), 400μJ (關)
- 輸入類型:標準
- Gate Charge:105nC
- 25°C 時 Td(開/關)值:50ns/160ns
- Test Condition:400V, 30A, 10 歐姆, 15V
- 反向恢復時間 (trr):-
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 安裝類型:通孔
- 供應商器件封裝:TO-220
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