產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-220-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 35A 125W TO220
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STGP19NC60KD 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：STGP19NC60KD
- 制造商：ST意法半導體（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 600V 35A 125W TO220
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：PowerMESH?
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：35A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：75A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.75V @ 15V，12A
- 功率-最大值：125W
- 開關(guān)能量：165μJ（開），255μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：55nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：30ns/105ns
- 測試條件：480V，12A，10 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：31ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-220-3
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