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- 制造廠商：ST（意法半導體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-220-3
- 技術參數：IGBT 600V 30A 125W TO220
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STGP12NB60KD 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：STGP12NB60KD
- 制造商：ST意法半導體（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 600V 30A 125W TO220
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列：PowerMESH?
- 零件狀態：停產
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：30A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：60A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，12A
- 功率-最大值：125W
- 開關能量：258μJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：54nC
- 25°C時Td（開/關）值：25ns/96ns
- 測試條件：480V，12A，10 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：80ns
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-220-3
- STGP12NB60KD優勢代理貨源，國內領先的ST芯片采購服務平臺。
