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- 制造廠商:ST(意法半導(dǎo)體)
- 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 13A 50W DPAK
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STGDL6NC60DIT4 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:STGDL6NC60DIT4
- 制造商:ST意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)
- 描述:IGBT 600V 13A 50W DPAK
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列:PowerMESH?
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- IGBT類型:-
- 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):13A
- 電流-集電極脈沖(Icm):18A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,3A
- 功率-最大值:50W
- 開關(guān)能量:32μJ(開),24μJ(關(guān))
- 輸入類型:標準
- 柵極電荷:12nC
- 25°C時Td(開/關(guān))值:6.7ns/46ns
- 測試條件:390V,3A,10 歐姆,15V
- 反向恢復(fù)時間(trr):23ns
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- STGDL6NC60DIT4優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的ST芯片采購服務(wù)平臺。
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