產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 技術參數(shù)：IGBT 1200V 10A 55W DPAK
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STGD7NB120ST4 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：STGD7NB120ST4
- 制造商：ST意法半導體（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 1200V 10A 55W DPAK
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：PowerMESH?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：10A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：20A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，7A
- 功率-最大值：55W
- 開關能量：3.2μJ（開），15mJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：29nC
- 25°C時Td（開/關）值：570ns/-
- 測試條件：960V，7A，1 千歐，15V
- 反向恢復時間(trr)：-
- 工作溫度：-
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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