產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 技術參數(shù)：IGBT 1200V 10A 75W DPAK
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STGD5NB120SZT4 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：STGD5NB120SZT4
- 制造商：ST意法半導體（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 1200V 10A 75W DPAK
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：PowerMESH?
- 零件狀態(tài)：不適用於新設計
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：10A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：10A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，5A
- 功率-最大值：75W
- 開關能量：2.59mJ（開），9mJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：-
- 25°C時Td（開/關）值：690ns/12.1μs
- 測試條件：960V，5A，1 千歐，15V
- 反向恢復時間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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