產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 技術(shù)參數(shù)：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
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STGD4M65DF2 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：STGD4M65DF2
- 制造商：ST意法半導體（STMicroelectronics）
- 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：M
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：8A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：16A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A
- 功率-最大值：68W
- 開關(guān)能量：40μJ（開），136μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：15.2nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：12ns/86ns
- 測試條件：400V，4A，47 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：133ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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