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ST
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STGB30V60DF 圖片
  • 制造廠商:ST(意法半導體)
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
  • 技術參數:IGBT 600V 60A 258W D2PAK
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STGB30V60DF 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:STGB30V60DF
  • 制造商:ST意法半導體(STMicroelectronics)
  • 描述:IGBT 600V 60A 258W D2PAK
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:溝槽型場截止
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):60A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):120A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A
  • 功率-最大值:258W
  • 開關能量:383μJ(開),233μJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:163nC
  • 25°C時Td(開/關)值:45ns/189ns
  • 測試條件:400V,30A,10 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):53ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
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